ASML不同浸没式光刻机在高端芯片生产上表现如何？

ASML不同浸没式光刻机在高端芯片生产上表现如何？

1980Di光刻机至少能做到7nm逻辑工艺（详见上条观点汇报），那么具体表现如何？回顾历史，台积电2015年量产16nm工艺，2016年量产10nm工艺，2018年量产7nm工艺；产业链调研表明，采用ASML 1980Di光刻机，TSMC 16nm良率可达到90%以上，7nm量产良率约在50-60%，考虑到TSMC量产7nm DUV芯片不久后就改用EUV光刻机，因此1980Di光刻机制造7nm芯片的良率天花板将由后来者探索。而采用ASML 2050i光刻机，则能在1980Di的基础上将良率和极限制程更进一步。

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