【230303碳化硅板块调整反馈】特斯拉电控技术的另一张王牌||建投电子

【230303碳化硅板块调整反馈】特斯拉电控技术的另一张王牌||建投电子

【我们的观点】特斯拉新的电控技术可以实现SiC器件的车型下沉，打开碳化硅的应用场景，从目前主流在40-50万车型使用下探至15-20万，对于SiC器件产业起到加速作用，但是对于新能源汽车主机厂，尤其是入门级走量车型占比高的车企有可能产生较大冲击。

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⭕昨天凌晨特斯拉在投资者日活动中发布了新一代电车平台，指出在不牺牲效率和性能的同时新平台减少75%的SiC使用量，碳化硅板块出现了大跌，衬底环节天岳先进、东尼电子，芯片龙头中瓷电子均出现大幅回调，海外SiC龙头意法半导体、安森美和Wolfspeed低开高走，说明海外市场对于该事件的解读较为乐观。

⭕如何评估特斯拉新技术的影响还有三个变量尚未清晰：400V还是800V平台？新电控技术是在低成本版本（15-20万）还是全系（Model 3/Y）推广？是数量下降75%还是价值量下降75%？

1）【沟槽型+内阻更低的SiC器件】：应用于800V平台主驱MOS的主流规格是1200V 15/17毫欧，英飞凌最新推出的1200V碳化硅器件可以做到7毫欧，极限可以做到5毫欧，用单个低阻值器件替代原来2个高阻值并联方案，SiC用量可以大幅减少。但是因为内阻值变小了，同样电压等级下，通流很大，非常考验散热，对热管理提出更高的要求。此外难点也包括：器件可靠性，芯片烧结技术也需要做更新。

3）【碳化硅+IGBT的混合方案】：12颗SIC+24或36颗IGBT，该方案可以兼容SiC的低开关损耗和IGBT的低导通损耗，挑战是两个器件合封如何实现和不同芯片烧结工艺能否兼容，同时对于驱动IC的设计难度要求很高，均流的时候还涉及到时序的控制，什么时候SiC MOS开，什么时候IGBT导通，此外对于主逆变器的设计和散热提出了新的要求。

3）【IGBT+SBD碳化硅方案】，以前是过度和折衷方案，效率相较于碳化硅方案会有明显下降，不太可能。这个在逆变器领域已经在大面积应用了。

【对于投资的影响】目前关键点在于特斯拉新技术应用的车型是入门级还是全系标配，我们倾向于前者，通过跟意法半导体专家求证尚未听说特斯拉有砍单或者修改长单的动作。

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