【招商电子】SiC板块点评：短期事件不扰行业趋势，关注SiC领域成本改善和长期技术发展进程。

【招商电子】SiC板块点评：短期事件不扰行业趋势，关注SiC领域成本改善和长期技术发展进程。

特斯拉在2023投资者日上表示，公司预计下一代电动汽车平台将使用第二代SiC，减少75%的SiC用量，制造流程减少50%，性能不会损失，结合多种降本措施预计未来单车总成本将下降1000美元。今日SiC板块在特斯拉宣布用量节省75%之后迎来大幅调整，天岳先进和东尼电子等SiC衬底公司跌幅较大，SiC器件公司板块整体也出现调整，特斯拉消息加深了投资者对于SiC领域发展的担心，但仍建议关注SiC领域的长期技术发展趋势和变化，SiC产业链的长期发展空间仍然可观。

单车SiC价值量仍有下降空间，当前成本仍是SiC大规模应用的关键影响因素。我们认为虽目前SiC MOS上车进程相对顺利，但整体渗透率还没有快速提升，主要系SiC MOS相比于IGBT在成本端仍然给予车企较大压力，新能源汽车竞争日趋激烈，国内外新能源汽车厂商相继降价，盈利空间不断压缩。SiC器件成本构成中，衬底成本占比超过一半，衬底良率提升进度缓慢，衬底成本短期难迎大幅改善，同时电动车主驱的SiC MOS仍主要被国际巨头厂商把控，目前没有过多降价空间，成本因素将持续成为SiC大规模应用的限制因素之一。特斯拉向外界展示单车SiC降本可以实现，短期看汽车SiC市场空间被压缩，但长远看来，随着SiC成本改善，在汽车领域渗透率提升、光伏应用上量，未来整体行业市场空间仍然可期。

技术本身仍然是SiC领域的核心竞争力，衬底和器件厂任重道远。特斯拉宣布SiC用量节省，我们预期特斯拉通过设计优化和工艺改善实现了SiC器件的功率密度提升或芯片面积减小，当前市场SiC MOS仍以平面型为主流，如果能进步至沟槽型，晶圆成本有望迎来大幅改善。SiC MOS作为目前高端功率器件代表，建议关注当前衬底厂商的产能释放和盈利能力改善节奏，关注器件厂商的技术优化和客户开拓进展。

鄢凡/谌薇15814056991